受美国技术封锁影响，中国无法取得ASML最先进的极紫外光（EUV）设备。 然而，成立仅4年的深圳芯片设备商新凯来（SiCarrier Technologies），近日首度公开展示28纳米级300 毫米晶圆光刻技术，展现中国在先进半导体设备领域的自主研发成果，引发全球产业高度关注。

3月26日-27日，新凯来在SEMICON China 2025上发布了5款工艺设备新品，包括外延沉积设备EPI（峨眉山）、原子层沉积设备ALD（阿里山）、物理气相沉积设备PVD（普陀山）、刻蚀设备ETCH（武夷山）、薄膜沉积设备CVD（长白山）。

上述新品名称指向半导体制造工艺中至关重要的技术节点。如EPI外延层技术是先进制程和第三代半导体的关键工艺，直接影响芯片性能与可靠性；ALD针对原子级薄膜沉积，是5纳米以下先进制程的核心装备；CVD化学气相沉积是半导体制造中需求量最大的设备之一，设备需满足从28纳米到5纳米不同制程的薄膜沉积需求。

新凯来与华为合作开发的28纳米光刻机，主要是为了取代包括ASML在内的国际半导体设备大厂，提升自主性，突破美国政府对先进芯片设备的出口管制措施，被中国视为先进半导体制程的救星。

半导体产业分析人士表示，28纳米是成熟制程与先进制程的分水岭，也是中国半导体设备厂商必须突破的难关。 新凯来的技术突破，代表中国的国产设备在关键制程领域取得了重大进展。

新凯来成立于2021年8 月，由深圳市政府资助，致力于开发半导体制造相关设备，在北京、上海、西安等地设立研发中心，并从业界挖角顶尖技术人才，网罗曾在ASML、应用材料、科林研发（Lam Research）、东京威力科创（Tokyo Electron）等国际大厂的优秀工程师。

尽管成立仅4年，新凯来已展现出强烈的市场企图心，其客户名单囊括了中芯国际、华虹集团等中国半导体产业的龙头晶圆厂。 不只如此，新凯来部分蚀刻设备已在功率半导体产线实现批量应用。

新凯来计划在未来3年内将研发中心拓展至10个以上的城市，更将在欧洲和东南亚设立技术服务中心，提供客户专业支持，扩大其全球影响力。